Welche Diodenmodifikatoren werden in der Praxis verwendet, um LEDs mit SPICE (Berkeley v.3f5) zu modellieren? Diese stehen mir zur Verfügung:
# Name Parameter Units Default Example Area
1 IS Saturation current A 1e-14 1e-14 *
2 RS Ohmic resistance Ω 0 10 *
3 N Emission coefficient - 1 1.0
4 TT Transit-time s 0 0.1ns
5 CJO Zero-bias junction capacitance F 0 2pF *
6 VJ Junction potential V 1 0.6
7 M Grading coefficient - 0.5 0.5
8 EG Activation energy eV 1.11 1.11 Si
0.69 Sbd
0.67 Ge
9 XTI Saturation-current temperature exponent 3.0 3.0 jn
2.0 Sbd
10 KF Flicker noise coefficient - 0
11 AF Flicker noise exponent - 1
12 FC Coeff. for for.-bias dep. cap. formula 0.5
13 BV Reverse breakdown voltage V ∞ 40.0
14 IBV Current at breakdown voltage A 1.0e-3
15 TNOM Parameter measurement temp. °C 27 50
3.4.2 Diodenmodell (D)
Die Gleichstromcharakteristik der Diode wird durch die Parameter IS und N bestimmt. Ein ohmscher Widerstand RS ist enthalten. Ladungsspeichereffekte werden durch eine Laufzeit TT und eine nichtlineare Verarmungsschichtkapazität modelliert, die durch die Parameter CJO, VJ und M bestimmt wird. Die Temperaturabhängigkeit des Sättigungsstroms wird durch die Parameter EG, Energie und XTI definiert. der Exponent der Sättigungsstromtemperatur. Die Nenntemperatur, bei der diese Parameter gemessen wurden, ist TNOM. Der Standardwert ist der in der Steuerleitung .OPTIONS angegebene Wert für den gesamten Schaltkreis. Der Durchbruch in Sperrrichtung wird durch einen exponentiellen Anstieg des Sperrdiodenstroms modelliert und durch die Parameter BV und IBV (beides positive Zahlen) bestimmt.
Zum Beispiel mit diesem einfachen, billigen Rot:
Die Hochfrequenzeigenschaften interessieren mich nicht sonderlich - ich möchte nur in der Lage sein, die IV-Kurve innerhalb der Betriebsspezifikationen (-10uA / -5V Leckstrom bis + 100mA / + 2,2 'ish V Vorwärts) abzugleichen :