Bei einigen MOSFETs, einschließlich der meisten, die sich in "eigenständigen" Gehäusen befinden, ist die Source mit dem Drain verbunden. Solche MOSFETs haben eine inhärente Diode zwischen Source und Drain, die leitet, wenn der MOSFET in die Richtung vorgespannt wird, die der Richtung entgegengesetzt ist, in der er normalerweise schalten würde (z. B. wenn die Quelle für einen NFET positiver als die Drain ist oder negativer als Drain für einen PFET). Der Pfeil auf dem Symbol zeigt die Polarität dieser Diode an.
Bei anderen MOSFETs, insbesondere solchen in digitalen Logikchips, sind die Substrate unabhängig von ihren Source-, Drain- und Gate-Verbindungen mit einer Stromschiene verbunden. Während man solche Verbindungen in einen Schaltplan aufnehmen könnte, wäre dies in etwa so, als würde man Power-Rail-Verbindungen zu jedem einzelnen Logikgatter in einem Schaltplan hinzufügen. Da 99% der Logikgatter ihre VDD an eine gemeinsame VDD gebunden und ihre VSS an eine gemeinsame VSS verdrahtet haben, wären solche Verbindungen visuelles Rauschen. In ähnlicher Weise ist bei 99% der NFETs das Substrat am negativsten Punkt und bei 99% der PFETs das Substrat am positivsten Punkt gebunden. Wenn der Substratanschluss eines MOSFET impliziert und nicht gezeigt ist, könnte man zwischen NFETs und PFETs unterscheiden, indem man einen Pfeil für den nicht verbundenen Substratanschluss verwendet, aber das könnte etwas seltsam sein.
Während es möglich ist, einen MOSFET zu konstruieren, dessen Source-Drain-Kanal symmetrisch ist, verbessert die Verwendung eines asymmetrischen Kanals die Leistung, wenn die Vorrichtung verwendet wird, um Strom in eine Richtung zu schalten, auf Kosten ihrer Leistung in die andere Richtung. Da dies oft wünschenswert ist, ist es oft hilfreich, schematische Symbole zu haben, die zwischen Source und Drain unterscheiden. Da das mit der Quelle verbundene Substratsymbol die Quellenleitung "markiert" und BJT-Symbole den Emitter markieren, dessen Verwendung der Quelle am ähnlichsten ist, verwenden MOSFET-Symbole, die kein markiertes Substrat haben, häufig einen Pfeil, dessen Richtung analog ist zu dem eines BJT.
Meines Erachtens ist der Weg, die Unterscheidung zu würdigen, wenn ein Pfeil für das Substrat gezeigt wird, der eine Stelle darstellt, an der im Allgemeinen verhindert werden muss, dass Strom in Pfeilrichtung fließt, wohingegen, wenn ein Pfeil für das Substrat gezeigt wird Quelle, die den gewünschten Stromfluss darstellt.
Ich selbst bevorzuge die Verwendung eines NFET-Symbols mit einem nach außen gerichteten Pfeil auf der Source, möglicherweise mit einem rückwärts gerichteten Source-Drain-Pfeil, wenn dies relevant wäre. Für einen PFET verwende ich einen nach innen gerichteten Source-Pfeil und füge außerdem einen Kreis am Gate hinzu. Wenn ich konzeptionelle VLSI-Entwürfe zu Illustrationszwecken skizziere (ich war noch nie am Entwurf eines tatsächlich hergestellten Chips beteiligt), haben das NFET-Symbol und das FET-Symbol für Transistoren, die als bidirektionale Durchgangsgatter verwendet werden, keinen Pfeil, sondern nur einen Verwenden Sie den Kreis oder das Fehlen desselben als Polaritätsanzeige.
Übrigens finde ich es merkwürdig, dass in Fällen, in denen diskrete MOSFETs zur Herstellung von Durchgangsgates verwendet werden, normalerweise zwei Back-to-Back-FETs verwendet werden, deren Source jeweils an das Substrat gebunden ist. Ich kann verstehen, dass in Fällen, in denen eine Schaltung die Source eines MOSFETs mit seinem Substrat verbindet, die Herstellung eines damit verbundenen Teils billiger und einfacher ist als die Verwendung eines Isolators. Ich würde jedoch denken, dass es billiger sein sollte, einen MOSFET mit einem isolierten Substrat herzustellen, als zwei MOSFETs mit jeweils einer Source-Substrat-Verbindung. Ich frage mich, ob einzelne Source-Substrat-Verbindungen in einem VLSI-Design mit Ausnahme von "bevorzugt" wärenweil es einfacher ist, viele Transistoren mit einem gemeinsamen Substrat zu verbinden, als die Substratanschlüsse von Transistoren mit isolierten Sources zu isolieren. Vielleicht ist die Situation etwas analog zu Vakuumröhren (einige Röhren verbinden die Kathode mit einem der Filamentanschlüsse, andere verwenden einen separaten Kathodenstift)?
