Was ist ein beliebter billiger und robuster Ersatz für 2n7000-MOSFET zur Verwendung mit 3,3-Volt-Designs? [geschlossen]

Was sind die gängigen Entsprechungen zum 2n7000 für 3,3-Volt-MCU-Schaltkreise zum Schalten von Geräten mit höherer Spannung?

Hintergrund: Für 5 - Volt - Mikrocontroller - basierte Prototypen und Experimente war meine Lösung für niederfrequentes, Low - Side - Schalten von 50 - 200 - mA - Strömen oder 10 - 40 - Volt - Geräten, die von einem Digital / PWM - Pin angetrieben werden, spottbillig (0,05 US - Dollar) Einzelhandel hier in Indien) und überall verfügbarer 2n7000 MOSFET.

Der beste Aspekt bei der Verwendung dieses MOSFETs ist, dass ich ein paar kleine Baustein-Leiterplatten mit einem 100-Ohm-Gate-Widerstand und einem Pulldown-Gate-Widerstand von 10 k an fast alles angeschlossen habe, was nicht hochfrequent oder hoch belastet ist . Es funktioniert einfach und ist fast kugelsicher. Wenn ich 4 x 2n7000-Array-Teile lokal finden könnte, würde ich sicher auch 4-Kanal-Bausteine ​​herstellen.

Wenn Sie mit 3,3-Volt-MCUs und -Boards (z. B. TI MSP430 Launchpad ) arbeiten, an welche vergleichbare, leicht verfügbare und robuste Switching-Lösung können Sie sich für unkritisches schnelles Prototyping wenden?

Am Ende verwende ich entweder 2n7002 , das sich nicht gut genug einschaltet, oder verschiedene IRL / IRLZ-Teile, obwohl sie das 10-20-fache kosten. IRL / LZ sind häufig nicht von der Stange in der "Straße der elektronischen Komponenten" erhältlich, wo ich zufällige Teile für meine Regale für persönliche Komponenten abhole, wenn ich nicht an einer Stückliste oder einem Plan arbeite.

Der in den Kommentaren zu dieser Frage vorgeschlagene AO3422 ist im Einzelhandel vor Ort nicht erhältlich.

Ich möchte BJTs für diesen Zweck vermeiden, da sie in der Regel heißer als MOSFETs sind, und ich erstelle sowieso genug magische Rauchgizmos.

Ich weiß, dass es nicht unbedingt eine richtige Antwort darauf gibt, aber ein guter Ratschlag würde sicherlich vielen Menschen zugute kommen, die in 3,3-Volt-Geräte springen.

$V_{GS(th)}$$I_D$$V_{DS}$

Der einzige Nachteil ist, dass sie nur oberflächenmontiert sind - Sie müssen eine kleine Leiterplatte drehen, um sie zu verwenden.

Mein Favorit für 3,3-Volt- und sogar 2,5-Volt-Schaltungen sind SI4562- , N- und P-MOSFETs in einem einzigen Gehäuse mit einem viel niedrigeren Rdson-Wert für N- und P-Kanäle als beim 2n7000. Sie sind nicht teuer bei rund 0,37 US-Dollar pro Stück bei eBay. Auch wenn Sie nur das N oder das P verwenden, ist es ein gutes Geschäft. Es ist immer noch viel teurer als 2n7000, aber selbst dann ist es ein viel besserer MOSFET als 2n7000. Der Strom beträgt 4 bis 6 Ampere für jeden Kanal, nicht Milliampere wie 2n7000. Ich habe damit eine Brücke gebaut, um einen kleinen Motor anzutreiben, und es war nicht einmal warm, während es mit BJT sehr heiß wurde.

RDSON für den P-Kanal beträgt 0,05 Ohm und für den N-Kanal 0,035 Ohm bei einem VGS-Wert von 2,5 Volt.

Mein Vorschlag ist Hersteller Diodes Inc DMN4800LSS-13 Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

in 1K Menge ca. 17 Cent

Was ist mit dem 2N7002PW von NXP? Grundsätzlich das gleiche Gerät zum gleichen Preis in einem kleineren Gehäuse (SC-70), aber mit einem niedrigeren RDSon (1 Ohm vs 2,8 Ohm) und sollte laut Grafik härter einschalten.

Ich halte mich normalerweise nur an 2N7000 und einen größeren Drain-Lastwiderstand (10k oder mehr) und es ist ziemlich zuverlässig, wie ich herausgefunden habe. Ich habe Raspberry Pi verwendet, das praktisch keinen Strom liefern oder aufnehmen kann (max. 7 mA oder das 35-Dollar-Board ist Toast), daher sind meine Designs normalerweise mit 2N7000s und einer höheren Drain-Last gespickt, und nachgeschaltete CMOS-Teile sind ziemlich zuverlässig.