Ich habe ein paar Systeme gesehen, die einen NOR-Flash zum Booten verwenden, und ein NAND für ein größeres Dateisystem. Ich habe auch gesehen, dass ein System mit nur NAND beschädigt wird, nachdem Dateien geschrieben und auf Richtigkeit überprüft wurden.
Wird NOR verwendet, weil es eher zum Booten eines Systems neigt? Oder irgendwelche anderen Gründe?
Haben Sie gesehen, NAND nicht zuverlässig?
Antworten:
Es ist nicht so sehr so, dass NAND nicht zuverlässig ist (obwohl es weniger zuverlässig ist), es ist die Tatsache, dass es sich um verschiedene Arten von Speicher handelt, in Bezug auf die Art und Weise, in der auf sie zugegriffen wird, und die Unterschiede in der Lese- / Schreibgeschwindigkeit. Sie sind daher für verschiedene Anwendungen nützlich.
Der Hauptvorteil von NOR besteht darin, dass es sich um einen Direktzugriff handelt, mit dem Code ausgeführt werden kann. Es verfügt über einen vollständigen Adress- und Datenbus, sodass Sie jeden Ort ansprechen und sofort von dort lesen bzw. darauf schreiben können (Schreiben setzt natürlich voraus, dass die Adresse leer ist).
Sie lesen / schreiben NAND, indem Sie die Adresse über die kleine E / A-Schnittstelle einrichten und dann Daten lesen oder schreiben, wobei die Adresse bei jedem Lesen oder Schreiben automatisch erhöht wird. Dies macht es gut zum Schreiben oder Lesen von Daten- oder Dateistreams. Die Schreibgeschwindigkeit für NAND ist schneller als für NOR. Wenn Sie beispielsweise Bilder auf eine Kamera schreiben, ist diese hohe Schreibgeschwindigkeit besonders nützlich. Die höhere Dichte von NAND ist natürlich besser für Anwendungen wie das Speichern von Daten.
Edit: Nach Marcus 'Frage.
Es gibt einen Grund für diesen Zugriff, weil die MOSFETs im IC physisch organisiert sind. Ein wenig von Wikipedia ausleihen:
Im NOR-Flash ist ein Ende jeder Zelle direkt mit Masse und das andere Ende direkt mit einer Bitleitung verbunden. Diese Anordnung wird als "NOR-Flash" bezeichnet, da sie wie ein NOR-Gatter wirkt.
Die Tatsache, dass für jede Zelle ein Ende mit einer Bitleitung verbunden ist, bedeutet, dass auf sie (und damit auf jedes Bit) willkürlich zugegriffen werden kann.
Beim NAND-Flash werden auch Floating-Gate-Transistoren verwendet, die jedoch ähnlich wie bei einem NAND-Gate geschaltet sind: Mehrere Transistoren sind in Reihe geschaltet, und die Bitleitung wird nur dann auf L-Pegel geschaltet, wenn alle Wortleitungen auf H-Pegel geschaltet sind (über den Transistoren). VT).
Dies bedeutet, dass auf jedes Bit im Wort gleichzeitig zugegriffen werden muss.
Der Entwurf des NOR-Zellenspeichers ermöglicht es, Bits unabhängig voneinander in beliebiger Reihenfolge zu programmieren (auf "0" zu schreiben), ohne die Gefahr, andere Bits zu stören. Einige auf NOR-Zellen basierende Speicherarrays verwenden fehlerkorrigierte Speicherabschnitte, die in Abschnitten einer bestimmten Größe (z. B. 32 Bit) anstatt in einem Bit oder sogar Byte gleichzeitig geschrieben werden müssen, aber das macht es immer noch praktisch, viele kleine zu schreiben Daten unabhängig voneinander im selben Block speichern, ohne die Daten verschieben und den alten Block löschen zu müssen.
Im Gegensatz dazu erfordern viele NAND-Flash-Geräte, dass jede Seite von Daten mit höchstens zwei diskreten Operationen geschrieben wird, bevor die gesamte Seite gelöscht werden muss. Wenn man wiederholt Daten an dieselbe Seite anhängen möchte, würde jede solche Operation einen Seitenkopier- und Löschzyklus erfordern (vielleicht kann man die Dinge so optimieren, dass nur ein Kopier- und Löschvorgang nach jedem Zyklus durchgeführt wird, aber wenn man NOR-Flash verwendet, verwaltet man möglicherweise 1.000 kleine Aktualisierungen für jeden Kopier- / Löschzyklus).