Warum hat dieses EPROM kammartige Strukturen um die Drahtbondpads?

Ich habe einige Bilder von einem Microchip-EPROM-Chip aus den späten 80ern / frühen 90ern gemacht (ich kann mich nicht an die genaue Teilenummer erinnern). Die Drahtbondpads sind von einer kammartigen Struktur umgeben. Was ist der Zweck dieser Struktur?

Es handelt sich wahrscheinlich um große p-MOS- und n-MOS-Transistoren, die zum ESD-Schutz auf den Bondpads verwendet werden. Hier ist eine Referenz, die verschiedene Bonding-Pad-Designs im Detail zeigt (im Allgemeinen sind diese Informationen nicht leicht zu bekommen - IC-Hersteller scheinen den ESD-Schutz als eine Art Geschäftsgeheimnis zu behandeln). Bild aus dem obigen PDF:

Ich erinnere mich nicht, dass Microchip jemals Speicher-EPROMs hergestellt hat. Ist dies Teil eines EPROM-Mikrocontrollers?

Edit: Ich schaue mir nur einen Microchip PIC16C57 an, der wahrscheinlich aus einer ähnlichen Zeit stammt. Es gibt ähnliche Muster auf beiden Seiten der meisten Pins (die E / A sind), aber nur auf einer Seite der Nur-Eingang-Pins wie T0CKI, / MCLR / Vpp, OSC1. Die Strukturen scheinen also auf der einen Seite Treiber und auf der anderen Seite ESD-Schutzschaltungen jeglicher Art zu sein.

Bei diesem Schreiben gibt es zwei "Antworten", die völlige Vermutungen sind - und auch das ist falsch.

Diese Kammstrukturen sind so, wie Sie es vielleicht erwarten, wenn Sie an einer genauen Stelle und in kontrollierte Strukturen einen Zusammenbruch induzieren möchten, anstatt an einer anderen Stelle im Chip. Diese befinden sich in der TOP-Metallschicht. Die Kämme sind dazu da, viele scharfe Kanten zu erzeugen, um ein übermäßig hohes ESD-Ereignis zu fördern, das an dieser Stelle durchgeführt werden kann.

Die Dioden- und ESD-Klemmstrukturen befinden sich notwendigerweise im Silizium.

Dies sind sehr, sehr weit davon entfernt, die Transistorstrukturen zu sein, die im Si mindestens 3 - 7 Metallschichten nach unten liegen.

Schauen Sie sich Blitzableiter in der größeren Welt an. Sie werden genau diese Dinge dort sehen.

Nennen wir es einen Gürtel und Hosenträger Ansatz. Oder eher eine letzte Chance, die tatsächlich ESD-Strukturen sind für Ereignisse mit viel niedrigerer Spannung ausgelegt.

Diese Strukturen sind die großen Transistoren, die erforderlich sind, um die als Ausgänge verwendeten Pins anzusteuern.