Welchen Effekt hat die Sterilisation mit Gammastrahlung auf eingebettete elektronische Geräte?

Wir haben gerade 3 Geräte zurückerhalten, die möglicherweise versehentlich einem Sterilisationsprozess mit Gammastrahlung unterzogen wurden. Das Gerät ist ein eingebettetes Gerät mit geringem Stromverbrauch, das aus einem 16-Bit-Mikrocontroller mit peripherem FLASH-Speicher und einem von einer Lithiumbatterie gesicherten SRAM besteht. Das Gerät scheint völlig tot zu sein.

Welche möglichen Auswirkungen hätte Gammastrahlung auf eingebettete Geräte? FLASH Speicherbeschädigung? Schaltungsverschlechterung? Defekt eines Bauteils?

Mehr Info:

Die Ausrüstung besteht aus drei Nephelometer-Instrumenten, die wir herstellen und die einen ziemlich teuren COTS-Logger als Gehirn verwenden. Die Instrumente wurden zusammen mit einigen Sedimentproben aus Übersee an uns zurückgeschickt. Der Zoll / die Quarantäne entschied, dass sie die Sedimentproben sterilisieren wollten, und ich denke, sie müssen auch die Instrumente durchgestellt haben.

Die Prognose ist wahrscheinlich nicht zu blitzschnell.

Abhängig von der Strahlungsenergie reicht der Gerätetod von möglich bis im Wesentlichen sicher.

Sie können möglicherweise alle von Ihnen beschriebenen Effekte erwarten.
Selbst wenn es anscheinend noch in Betrieb ist, kann es zu erhöhten Leckströmen und allgemeinem Unglück kommen.

Was war die Gammaquelle? welche Energie?, welche Entfernung? Warum?

Strahlenschäden in elektronischen Speichergeräten PDF
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sagt:

... Die erhaltenen Ergebnisse zeigen, dass Gammastrahlung eine Abnahme der Schwellenspannung verursacht, die proportional zur absorbierten Strahlungsdosis ist.

EPROM & EEPROM: ... Gammastrahlung bewirkt die Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren im SiO2-Isolator des Gates. Die Anzahl der erzeugten Paare ist in Abhängigkeit von der insgesamt absorbierten Strahlungsdosis direkt proportional zur im Material abgelagerten Energie [8, 14]. ...

Fazit

... Basierend auf der Analyse von Daten aus durchgeführten Experimenten verursacht die Exposition von Halbleiterspeichern gegenüber Gammastrahlung drei Effekte: Löcher, die an Einfangstellen eines Oxids eingefangen werden, Injektion von Löchern aus Oxid in FG und Emission von Elektronen durch FG- Oxidgrenzfläche.

Die Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren führt zum Einfangen positiv geladener Ladungsträger (Löcher) im Isolator, was zu einer negativen Verschiebung der Eigenschaften führt. Positiv geladene Ladungsträger, die durch Gammastrahlung induziert werden, erfordern nämlich die Erhöhung der negativen Gate-Spannung, um die positive Ladung zu kompensieren. Dies bedeutet, dass Gammastrahlung eine Abnahme der Schwellenspannung verursacht, die proportional zur absorbierten Strahlungsdosis ist.

NASA - Chips im Weltraum