Praktische Strombegrenzung für das TO-220-Paket


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Ich sehe viele MOSFET-Transistoren mit überraschend hohen Kontinuumsströmen in TO-220-Gehäusen. Um die Sache magischer zu machen, ist der offene Widerstand sehr gering.
Zum Beispiel möchte ich einen IRFB7545PbF N-MOSFET-Transistor verwenden. Im Datenblatt ist es festgestellt , dass maximaler Dauerstrom ist 67A und rdon niedriger als 5,9mOhm .
Ich glaube nicht, dass das möglich ist.
Winzige Beine des TO-220-Gehäuses haben einen weitaus größeren Widerstand als wenige mOhm unter diesen Bedingungen, es erwärmt sich und löt sich.

Wo irre ich mich

Ich glaube, dass der Halbleiter im Inneren zu solchen Strömen fähig ist, aber ich glaube nicht, dass das TO-220-Paket ...


Ich kann den Link momentan nicht finden, aber ich habe einen Artikel darüber gelesen, was Sie fragen. Grundsätzlich hat ein Forscher bewiesen, dass das Paket selbst keine Chance hat, die Ströme aus den Datenblättern aufrechtzuerhalten. Ich denke, dass der Artikel auch auf IRF-Datenblätter verwies.
AndrejaKo

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@AndrejaKo Würden Sie sich auf diesen Artikel beziehen ? " Gespräche mit dem International Rectifier FE und später mit einem Vertreter von Motorola bestätigten, dass die Grenzwerte für den TO-220AB ungefähr 75 Ampere betrugen. Diese Grenzwerte waren auf die Erwärmung des Bleirahmens bis zu dem Punkt zurückzuführen, an dem die Beine schmelzen würden . " Zu beachten ist jedoch, dass das Lot viel früher schmelzen würde .
Anindo Ghosh

@ Anindo Ghosh Das ist der Artikel, an den ich gedacht habe.
AndrejaKo

Antworten:


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Unter dieser Last wird jedes Blei 1 W abführen. Für einen langen Lauf in freier Luft reicht dies aus, um das Blei zu schmelzen, aber so wird kein TO220 verwendet. Die Leitungen werden in eine Leiterplatte mit sehr schweren Leiterbahnen eingelötet (um eine Delaminierung der Leiterplatte zu vermeiden), und diese Leiterbahnen dienen dazu, Wärme von den Leitungen wegzuleiten.

Und für das, was es wert ist, gibt das Datenblatt die 67 A-Zahl für eine Gehäusetemperatur von 100 ° C an.

ETA - Laut einem FAQ-Hinweis auf irf.com hat das TO220-Paket eine Strombegrenzung von 75 A, sodass der ursprüngliche Verdacht, dass ein TO220 keine hohen Ströme verarbeiten kann, fast richtig ist.


Jetzt fehlt mir ein Teil des Datenblattes in der FAQ. Sie gehen davon aus, dass Sie einen unendlichen Kühlkörper haben. : D Ich werde so schnell wie möglich eine bei IRF bestellen. : D: D
Viliam

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Wenn Sie sorgfältig lesen, werden diese Ströme normalerweise angegeben, wenn die Gehäusetemperatur (magisch?) Bei 25 ° C gehalten wird. Wenn Sie also eine Möglichkeit hätten, das Gehäuse zu kühlen und das Gehäuse auf dieser Temperatur zu halten, könnten Sie diese Art von Strömen durchlassen. Sie könnten argumentieren, dass die Leads ebenfalls Teil des Falls sind.

Absolut keine reale Spezifikation, aber ich denke, IR hat damit begonnen und andere Unternehmen folgten, damit ihre FETs nicht minderwertig aussahen. Niemand schenkt dieser Zahl heutzutage viel Aufmerksamkeit.


Ich habe sorgfältig gelesen und bin mir sicher, dass einige Informationen fehlen. Nehmen wir an, ich kann das gesamte Paket bei 25 ° C halten. Ich glaube nicht, dass RdON bei 67A 5,9 mOhm beträgt, da der Widerstand der Stifte erhöht ist.
Viliam

Nun, wenn der FET 5,9 mOhm misst, ohne dass bei 25 ° C Strom fließt, was verursacht dann den erhöhten Widerstand der Pins bei 67 A und alles bei 25 ° C? Sie geben es nicht ausdrücklich an, aber die Leads können als Teil des Falls betrachtet werden, so dass sie auch bei 25 ° C bleiben, damit die Spezifikation gültig ist.
John D

Die Zahl 67 A bezieht sich auf die Gehäusetemperatur von 100 ° C. Für eine Gehäusetemperatur von 25 ° C geben sie 100 A (!) An.
Das Photon

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IRF gibt ausdrücklich an, dass das TO220-Paket eine Grenze von 75 A hat.
WhatRoughBeast

Ich denke, dass jede Widerstandsverschiebung aufgrund der Stromdichte bei viel höheren Strömen auftreten würde. In Impulsanwendungen sind diese FETs in Ordnung. Sie sehen keine Verschiebung im RDSon + -Paket für sehr hohe Impulsströme, die keine signifikante Erwärmung verursachen.
John D
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